乘国企改革之风

   2022年是国企改革三年行动计划的收官之年，高新区国企党工委在2月22日的国企改革专题会议上强调，2022年是决战决胜国企改革三年行动的收官之年，要确保行动全面胜利收官；国企借助资产整合或可实现转型，要注重向低碳化、科技化的方向发展，贯彻碳中和的战略，提升自主创新能力，增强国有资本在这些领域的控制力与影响力。

战略转型谋“芯”篇

高新发展正在加快重塑高科技3868la银河总站架构，立足成都高新区电子信息支柱产业，建立充分竞争具备硬核技术的新主业，通过内生发展和上市公司并购等多种手段快速做大做强，争取在某一细分领域发展成为具有领先地位和强大影响力的优质上市公司，更好回报广大中小股东。2022年，高新发展并购整合功率半导体企业成都森未科技有限公司（以下简称“森未科技”）和成都高投芯未半导体有限公司（以下简称“芯未半导体”），由此正式进入功率半导体行业，建立并逐步提升自身科技核心竞争力。

森未科技专注功率半导体器件研发，对标全球IGBT龙头英飞凌的同类芯片产品，产业化10年以上，现已具备较强的功率半导体设计及研发能力。其深耕IGBT芯片技术与应用，器件产品全面采用沟槽栅+场截止技术，覆盖600-1700V以及低、中、高频应用领域，已成功开发不同电压等级和应用场景的芯片超过100款，累计取得相关技术专利40多项。森未科技是国内产品线覆盖最广的IGBT功率半导体公司之一，其产品已进入工业变频、感应加热、特种电源、新能源发电及储能市场，后续将重点推进其产品在电动汽车等领域的应用。其核心技术团队由清华大学和中国科学院的博士组成，在功率半导体专业领域的经验累积均超过15年；专职研发人员占比已超过40%。

芯未半导体是森未科技打造Fab-lite模式的重要载体，重点建设功率半导体器件局域工艺线和高可靠分立器件集成组件生产线，特别注重超薄晶圆和高能注入等特色工艺研发攻关，以打造IGBT产品核心竞争力重要工艺支撑。森未科技经过多年的技术累计，已充分掌握上述超薄晶圆和高能注入等特色工艺所需的核心技术，其联合芯未半导体的发展，将让森未科技经营模式从Fabless转变为Fab-lite，兼具IGBT芯片设计、封装、生产能力。

功率半导体赛道扬帆创变

半导体行业是现代信息技术产业的基础，在推动国家经济发展、社会进步、保障国家安全等方面具有战略性作用。功率半导体是半导体行业的重要组成部分，在国家经济转型以及形成国家核心技术能力方面有着举足轻重的作用。国家已出台系列政策支撑半导体产业发展及国民经济发展，以IGBT为代表的功率半导体行业市场迎来了广阔的发展前景。

近年来，在电动车、光伏风电、变频家电等下游需求拉动下，功率半导体IGBT行业保持快速增长态势。功率半导体行业受新能源行业增长带动，市场规模持续增长，但中高端IGBT市场长期受进口品牌垄断，国际巨头企业占有率极高。作为新能源汽车、新能源发电及储能、工控等领域不可或缺的元器件，IGBT的国产化需求明确。

根据Omdia统计，预计2024年，功率半导体全球市场规模将达到538亿美元；中国作为全球最大的功率半导体消费国，预计2024年市场规模达到197亿美元，占全球比重为36.6%。

并购森未科技和芯未半导体后，高新发展将同时具备功率半导体IGBT的研发和设计能力。借助森未科技在功率半导体领域的技术实力，高新发展将实现高科技转型突破，3868la银河总站将从传统产业逐步转变为具有高技术门槛、高盈利水平、高资产质量特征的高科技产业，并实现向高新技术企业的彻底转型。

选优赛道深耕行业，扬帆功率半导体赛道。高新发展将以此为路径继续深化国企改革，推进产业升级，深入践行上市公司高质量发展。